Установка плазмохимического травления Versaline RIE-ICP

Добавить к сравнению

Склад: сроки поставки по запросу

Цена

по запросу
Узнать цену
  • Описание
Установка плазмохимического травления Plasma-Therm Versaline — это современная, надежная, высокопроизводительная платформа, на базе которой реализованы процессные модули всех ключевых типов плазменных процессов травления и осаждения материалов: RIE, RIE-ICP, PECVD, HDPCVD, DSE. Все процессные модули на платформе Versaline имеют стандартный механический интерфейс MESC и могут быть оснащены различными загрузчиками подложек, в зависимости от масштаба производства:
  • автоматический шлюз — для R&D-лабораторий и мелкосерийных производств;
  • автоматический кассетный загрузчик — для пилотных и серийных производств;
  • роботизированный загрузчик, объединяющий модули в кластер, — для крупносерийных производств.
Установка Plasma-Therm Versaline RIE-ICP в исполнении с автоматическим шлюзом предназначена для решения широкого круга задач травления материалов в индуктивно-связанной плазме. Установка идеально подходит для травления «сложных» материалов, таких как GaN, SiC, и других. Установку Versaline RIE-ICP целесообразно использовать в том случае, когда необходима высокая надежность и производительность, низкая стоимость процесса и технического обслуживания системы.
Установка Versaline RIE-ICP позволяет травить следующие типы материалов:
  • GaN, GaAs, AlGaP, InP, InGaAs, HgCdTe;
  • SiC, Al2O3, DLC;
  • Si, SiO2, SiNx;
  • Cr, Ti, Al, TiN, TiW, Mo;
  • Фоторезисты, полиимиды.

Ключевые преимущества установки Versaline RIE-ICP:

  • Максимальный размер обрабатываемой подложки 200 мм, поштучная обработка.
  • Равномерность травления по толщине и воспроизводимость результатов от пластины к пластине — лучше ±2%.
  • Наличие вакуумного шлюза в базовой комплектации.
  • Повышенная безопасность и чистота процесса за счет шлюзовой загрузки.
  • В комплекте с установкой поставляется библиотека стандартных технологических процессов, которые гарантируются производителем.
  • Простой, интуитивно понятный интерфейс.
  • История аварийный сообщений, контроль рецептов в процессе работы — вывод данных о процессе на дисплей в режиме реального времени.
  • Программное обеспечение позволяет записывать параметры процессов для дальнейшего анализа.
  • Многоуровневый доступ пользователей.
  • Возможность удаленного управления и контроля состояния системы.
  • Наличие различных вариантов системы отслеживания окончания процесса (OES, OEI, LEPD).
  • Простота использования и обслуживания.
  • Малая занимаемая площадь.
  • Возможность установки через стену чистого производственного помещения.
  • Возможность замены шлюза автоматическим кассетным загрузчиком или роботом.

Основные технические характеристики установки Versaline RIE-ICP

Размер электрода Для пластин до 200 мм в диаметре
Загрузка Поштучная шлюзовая загрузка, автоматический шлюз. Опционально автоматическая кассетная загрузка или робот
Температура электрода Определяется типом процесса. Используется чиллер. Стандартно +10...60 °С. Различные варианты доступны по запросу и подбираются под технологический процесс.
Материал электрода Алюминий/керамика. Полностью керамическая внутренняя стенка реактора
Тип прижима Мягкий механический, охлаждение гелием. Опционально электростатический
Тип плазмы Индуктивно-связанная
ВЧ-генератор RIE: 600 Вт, 13,56 МГц
ICP: 2000 Вт, 2 МГц. Прогреваемый ICP-источник
Опционально 3500 Вт, 2 МГц.
Вакуумная камера Изготовлена из цельного блока алюминия. Опциональная внешняя система прогрева
Откачная система Форвакуумный насос 80 м3/ч, безмасляный
Турбомолекулярный насос 1200 л/с на магнитном подвесе
Возможна установка других насосов по ТЗ заказчика
Уровень вакуума <10-6 торр
Контроль давления процесса Автоматический
Газовые линии с цифровыми РРГ 4 линии (стандартно). Опционально до 8 линий
Система контроля На базе ControlWorks
Электропитание 380 В, 50 Гц, 3 фазы
Габариты установки (Ш×Г×В) 640×1887×2078 мм для конфигурации с автоматическим шлюзом
Сертификация CE, SEMI-2, S8
Удаленный мониторинг состояния системы SECS/GEM

Основные опции

  • Система отслеживания окончания процесса:
    • Оптическая эмиссионная спектроскопия (OES)
    • Оптическая эмиссионная интерферометрия (OEI)
    • Лазерная интерферометрия (LEPD),
  • Дополнительные газовые линии (до 8 в сумме),
  • Расширение температурного интервала электрода (например, +10...+200 С, либо диапазон на заказ),
  • Специальные держатели образцов,
  • Нагреватели вакуумной камеры и вакуумного тракта,
  • Пакет для установки через стенку ЧПП: два варианта,
  • Расширенная гарантия производителя

Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического травления