Установка плазмохимического осаждения LAPECVD

Добавить к сравнению

Склад: сроки поставки по запросу

Цена

по запросу
Узнать цену
  • Описание
Plasma-Therm LAPECVD — это специально разработанная высокопроизводительная установка плазмохимического осаждения диэлектрических покрытий. Plasma-Therm LAPECVD, как правило, используется на серийном производстве. Установка оснащена автоматическим загрузочным устройством, позволяющим работать «из кассеты в кассету». Особенностью установки является специальная камера и электрод, благодаря которым осуществляется групповая обработка подложек. Установка Plasma-Therm LAPECVD оптимально подходит для осаждения диэлектриков SiO2, SiNx, SiOxNy.

Ключевые преимущества установки LAPECVD:

  • Высокопроизводительная установка для осаждения SiO2, SiNx, SiOxNy.
  • Максимальный размер обрабатываемой подложки — до 3×200 мм; групповая обработка.
  • Равномерность осаждаемого покрытия по толщине и воспроизводимость результатов от пластины к пластине — лучше ±2%.
  • В комплекте с установкой поставляется библиотека стандартных технологических процессов, которые гарантируются производителем.
  • Простой, интуитивно понятный интерфейс.
  • Программное обеспечение позволяет записывать параметры процессов для дальнейшего анализа.
  • История аварийный сообщений, контроль рецептов в процессе работы — вывод данных о процессе на дисплей в режиме реального времени.
  • Многоуровневый доступ пользователей.
  • Возможность удаленного управления и контроля состояния системы.
  • Наличие различных вариантов системы отслеживания окончания процесса (OES, OEI, LEPD).
  • Простота использования и обслуживания.
  • Малая занимаемая площадь.
  • Возможность установки через стену чистого производственного помещения.

Сравнительная таблица основных характеристик установок плазмохимического осаждения