Ионная имплантация (ионное легирование) является неотъемлемым технологическим процессом в производстве КМОП интегральных схем, биполярных транзисторов, микропроцессоров, элементов памяти. Применяется для введения в структуру полупроводникового материала определенного количества примеси (дозы) n или p-типа, на этапе формирования сток/истоковых областей транзистора, затвора, карманов разного типа проводимости. В зависимости от технологических параметров процесса ионной имплантации примесь внедряется на определенную глубину. Использование маскирующего слоя (обычно маска фоторезиста) позволяет легировать необходимые области полупроводниковой структуры.