Установка ионной имплантации

Добавить к сравнению

Склад: сроки поставки по запросу

Цена

по запросу
Узнать цену
  • Описание
Ионная имплантация (ионное легирование) широко применяется в процессе производства КМОП интегральных схем, биполярных транзисторов, микропроцессоров, элементов памяти. Установки применяеются для введения в структуру полупроводникового материала определенного количества примеси (дозы) n или p-типа, на этапе формирования сток/истоковых областей транзистора, затвора, карманов разного типа проводимости. 

В зависимости от технических параметров установки ионной имплантации делятся на следующие типы:
  • имплантеры с высокими ионными токами (до 25мА)
  • имплантеры со средними ионными токами (до 4 мА)
  • имплантеры с высокими энергиями (до 8000 кэВ)

Как правило, имплантеры с высокими ионными токами применяются для процессов, где требуется низкие энергии ионов или высокие дозы легирования; имплантеры со средними ионными токами – когда необходимы небольшие дозы легирования; имплантеры с высокими энергиями – когда требуется глубокая ионная имплантация.

В зависимости от доступного бюджета, возможны как новые, так и полностью восстановленные производителем модели установок ионной имплантации для работы с пластинами диаметром от 100 до 300 мм.

Преимуществами данных имплантеров является:
  • возможность использования низких доз легирования до 1e11/см2
  • высокоточный контроль количества легируемой примеси
  • низкий уровень привносимых дефектов
  • высокая равномерность (≤ 1%) легирования по пластине и от пластины к пластине
  • надежность, безопасность и удобство эксплуатации

Сравнительная таблица основных характеристик установок ионной имплантации

Тип имплантера С высоким ионным током (High current) Со средним ионным током (Medium current) С высокой энергией (High energy)
Легирующие ионы B, BF2, P, As B, BF2 (зависит от модели), P, As B, P, As
Тип обработки пластин Одиночная/групповая
(зависит от модели)
Одиночная Одиночная/групповая
(зависит от модели)
Тип загрузки Из кассеты
Размер пластин Ø100, Ø150, Ø200, Ø300 мм (в зависимости от модели)
Энергия ионов 0,2 – 50 кэВ
0,2 – 70 кэВ
0,2 - 80 кэВ
1 – 80 кэВ
2 - 90 кэВ
2 – 180 кэВ
5 - 750 кэВ
5 - 960 кэВ
10 - 3000 кэВ
10 – 4600 кэВ
10 – 8000 кэВ
Охлаждение пластины ≤ 100 °C
Однородность легирования ≤ 1%