Описание
Измерения в данной установке реализованы на основе вихревых токов, возникающих в образце при помещении его в переменное магнитное поле. Установка позволяет работать с круглыми подложками диаметром от 20 до 200 мм, а также с квадратными подложками размером до 156х156 мм. Широкий спектр рабочих материалов, точность измерений в соответствии со стандартами ASTM, компактный дизайн и простота использования позволяют использовать установку как в научно-исследовательских целях, так и на мелкосерийном производстве.
Измеряемые материалы:
Особенности:
Показать еще
Измеряемые материалы:
- Полупроводниковые материалы, материалы солнечных элементов (Si, poly-Si, SiC и т.д.)
- Наноматериалы (углеродные нанотрубки, DLC, графен, серебряные нанопроволоки и т.д.)
- Тонкие проводящие пленки (металл, ITO, IZO т.д.)
- Эпитаксиальные слои, легированные образцы
- Сложные полупроводниковые материалы (GaAs, GaN, InP, GaSb, и т.д.)
Особенности:
- Простота использования и компактный дизайн
- Возможность работы с пластинами диаметром до 200 мм
- Возможность работы с квадратными подложками размером до 156х156 мм
- Запуск автоматического измерения, после установки образца под зондом
- Легкость настройки измерений с помощью поворотного переключателя
- 4 конфигурации установки в зависимости от диапазона измерений (0,01~0,5 Ом/□, 0,5~ 10 Ом/□, 10~1000 Ом/□, 1000~3000 Ом/□)
Технические характеристики:
| Размер образца |
макс. Ø200 макс. 156х156 мм |
| Диапазон измерения поверхностного сопротивления [Rs], в зависимости от измерительной головки |
0,01 – 0,5 Ом/□ 0,5 – 10 Ом/□ 10 – 1000 Ом/□ 1000 – 3000 Ом/□ 5 – 500 Ом/□ |
| Диапазон измерения удельного сопротивления [R], в зависимости от измерительной головки |
0,001 – 0,05 Ом∙см 0,05 – 0,5 Ом∙см 0,5 – 60 Ом∙см 60 – 200 Ом∙см 0,2 – 15 Ом∙см |
| Управление | Ручное |
| Габаритные размеры (ШхГхВ) | 255х275х95 мм |
