В установке FAaST 210/230 реализуется бесконтактный принцип измерения C-V и I-V характеристик, основанный на запатентованной технологии коронного разряда и зонда Кельвина (патент Semilab SDI). Важнейшими отличительными особенностями технологии, в сравнении с контактными методами измерений электрических параметров, является отсутствие необходимости формирования металлического контакта к поверхности и неразрушающий характер измерений. Это позволяет проводить измерения как на рабочих пластинах, так и на тестовых структурах.
Загрузка пластин осуществляется в автоматическом режиме из кассеты. Установка FAaST 210/230 C-V/I-V позволяет выполнять автоматическое картирование пластины и анализировать данные посредством встроенного программного обеспечения. В модели FaAST 230 доступен метод контроля подвижных ионов (Mobile Charge) железа (Fe), меди (Cu), натрия (Na) в кристаллической структуре кремниевой пластины, которые могут оказывать отрицательные воздействия на электрические свойства подзатворного диэлектрика и параметры транзистора в целом под воздействием электрического поля. Для каждого из используемых методов измерений, в установке имеется функция автоматической калибровки, благодаря наличию встроенных калибровочных структур. Модульность установок серии FAaST позволяет сконфигурировать систему как для научно-исследовательских задач, так и для серийного производства. Доступны тестовые измерения образцов в лаборатории производителя.
Измеряемые материалы:
- Профиль легирования в эпитаксиальных слоях кремния p/p+, n/n+, n/p
- Диэлектрические пленки на кремнии (Si)
- Металлические примеси в кремниевой пластине
- Диэлектрические пленки на карбиде кремния (SiC)
- Диэлектрические пленки на арсениде галлия (GaN)
Технические характеристики:
| Режимы измерений | - DSPV - PDM - C-V / SASS I-V - MC (для модели FaAST 230) - NSD - SILC |
| Размер пластин | 50 - 200 мм (опция до 300 мм) |
| Загрузка пластин | Автоматическая из открытой кассеты SMIF/FOUP (опция) |
| Управление | Автоматическое на базе OS Windows Работа по рецептам |
| L - диффузионная длина Время жизни неосновных носителей заряда CD – емкость диэлектрика (Dielectric capacitance) EOT – эквивалентная толщина окисла (equivalent oxide thickness) VFB – напряжение плоских зон (Flat band voltage) Vsb – напряжение потенциального барьера VCPD – поверхностное напряжение диэлектрика VB – напряжение мягкого пробоя Dit - плотность поверхностных состояний (Interface state density) Qit – заряд поверхностных состояний (Interface Trapped Charge) Qtot – суммарный заряд в окисле (Oxide Total Charge) (Semiconductor Surface Barrier) Qm – заряд подвижных ионов (Mobile Ionic Charge) IL – ток утечки диэлектрика (Dielectric Leakage Current) ∆QLEAK – заряд утечки Концентрация примеси Fe в кремнии Концентрация примеси Cu в кремнии |
1 – 3000 мкм 1 – 5000 мкс 5e-6 до 5e-9 Ф/см2 0.8 до 1000 нм -60 до +60 В -8 до +8 В -60 до +60 В -12 до +8e6 В 1e10 до 5e13 (Кл/В*см2) 5e9 до 1e13 Кл/см2 5e9 до 5e13 Кл/см2 0.3 до 5e12 Кл/см2 1e-7 до 1e-11 А/см2 ≥ 1010 Кл/см2 1e8 до 1e13 см-3 1e9 до 1e13 см-3 |
