Установка бесконтактного измерения электрических характеристик FAaST 210/230 C-V/I-V

Установка бесконтактного измерения электрических характеристик FAaST 210/230 C-V/I-V

Добавить к сравнению

Склад: сроки поставки по запросу

Цена

по запросу
Узнать цену
Оцените качество обслуживания, помогите нам стать лучше!
  • Описание

В установке FAaST 210/230 реализуется бесконтактный принцип измерения C-V и I-V характеристик, основанный на запатентованной технологии коронного разряда и зонда Кельвина (патент Semilab SDI). Важнейшими отличительными особенностями технологии, в сравнении с контактными методами измерений электрических параметров, является отсутствие необходимости формирования металлического контакта к поверхности и неразрушающий характер измерений. Это позволяет проводить измерения как на рабочих пластинах, так и на тестовых структурах.

Загрузка пластин осуществляется в автоматическом режиме из кассеты. Установка FAaST 210/230 C-V/I-V позволяет выполнять автоматическое картирование пластины и анализировать данные посредством встроенного программного обеспечения. В модели FaAST 230 доступен метод контроля подвижных ионов (Mobile Charge) железа (Fe), меди (Cu), натрия (Na) в кристаллической структуре кремниевой пластины, которые могут оказывать отрицательные воздействия на электрические свойства подзатворного диэлектрика и параметры транзистора в целом под воздействием электрического поля. Для каждого из используемых методов измерений, в установке имеется функция автоматической калибровки, благодаря наличию встроенных калибровочных структур. Модульность установок серии FAaST позволяет сконфигурировать систему как для научно-исследовательских задач, так и для серийного производства. Доступны тестовые измерения образцов в лаборатории производителя.

Измеряемые материалы:

  • Профиль легирования в эпитаксиальных слоях кремния p/p+, n/n+, n/p
  • Диэлектрические пленки на кремнии (Si)
  • Металлические примеси в кремниевой пластине
  • Диэлектрические пленки на карбиде кремния (SiC)
  • Диэлектрические пленки на арсениде галлия (GaN)

Технические характеристики:

Режимы измерений - DSPV
- PDM
- C-V / SASS I-V
- MC (для модели FaAST 230)
- NSD
- SILC
Размер пластин 50 - 200 мм (опция до 300 мм)
Загрузка пластин Автоматическая из открытой кассеты
SMIF/FOUP (опция)
Управление Автоматическое на базе OS Windows
Работа по рецептам
L - диффузионная длина
Время жизни неосновных носителей заряда
CD – емкость диэлектрика (Dielectric capacitance)
EOT – эквивалентная толщина окисла (equivalent oxide thickness)

VFB – напряжение плоских зон (Flat band voltage)
Vsb – напряжение потенциального барьера
VCPD – поверхностное напряжение диэлектрика
VB – напряжение мягкого пробоя
Dit - плотность поверхностных состояний (Interface state density)

Qit – заряд поверхностных состояний (Interface Trapped Charge)

Qtot – суммарный заряд в окисле (Oxide Total Charge)

(Semiconductor Surface Barrier)
Qm – заряд подвижных ионов (Mobile Ionic Charge)
IL – ток утечки диэлектрика (Dielectric Leakage Current)

∆QLEAK – заряд утечки
Концентрация примеси Fe в кремнии
Концентрация примеси Cu в кремнии
1 – 3000 мкм
1 – 5000 мкс
5e-6 до 5e-9 Ф/см2
0.8 до 1000 нм

-60 до +60 В
-8 до +8 В
-60 до +60 В
-12 до +8e6 В
1e10 до 5e13 (Кл/В*см2)

5e9 до 1e13 Кл/см2

5e9 до 5e13 Кл/см2


0.3 до 5e12 Кл/см2
1e-7 до 1e-11 А/см2

≥ 1010 Кл/см2
1e8 до 1e13 см-3
1e9 до 1e13 см-3