WT-2000 — это мощная настольная платформа для измерения различных характеристик полупроводниковых материалов. Базовая комплектация оснащена всеми функциями, необходимыми для проведения измерений, включает в себя источники питания, компьютерное и операционное программное обеспечение, XY измерительный столик и прочее. Система позволяет контролировать наличие примесей, проводить исследования эпитаксиальных слоев и результатов ионной имплантации, а также проводить исследования диэлектриков на пластинах диаметром до 300 мм. По требованию пользователя система может быть дополнена возможностью автоматизированной загрузки пластин из кассеты. Система WT-2000 позволяет проводить измерения как в режиме сканирования по запрограммированной карте, так и в отдельно заданных точках. Доступно проведение тестовых измерений в лаборатории производителя.
В зависимости от задач пользователя, установка WT-2000 может использоваться как в полупроводниковом производстве, так и при изготовлении солнечных элементов. В установке может быть реализовано одновременно до 4 методов измерений (на выбор), таких как:
- измерение удельного сопротивления 4-х зондовым методом;
- измерение удельного сопротивления бесконтактным методом;
- измерение времени жизни неосновных носителей заряда методом СВЧ-фотопроводимости (µ-PCD), в том числе при температуре образца от -193°С до 50°С;
- количественное определение примесей железа (пары Fe-B) в структуре материала методом вспышки (flash light);
- определение диффузионной длины неосновных носителей заряда методом поверхностной фото-ЭДС (SPV) или методом laser-beam-induced current (ток, наведенный лазерным лучом);
- определения параметров границы раздела «оксид–кремниевая пластина» методом бесконтактного снятия кривых V-Q (voltage-charge);
- измерение поверхностного сопротивления и токов утечки имплантированного слоя методом JPV (junction photovoltage);
- Области применения:
- Входной контроль параметров пластины
- Контроль параметров легированных слоев
- Измерение пластины с антиотражающим покрытием
- Измерение кремниевых солнечных элементов (подложки 156х156 мм)
Технические характеристики:
| Размер образца | 200 мм в диаметре |
| Измерительная головка u-PCD |
Лазер 904 нм Диаметр лазерного пятна: 1 мм Диапазон измерений времени жизни: от 100 нс до 30 мс Воспроизводимость: <3% Время измерения: 10 - 300 мс/точка (в зависимости от материала) |
| Измерительная головка JPV |
Диапазон измерений: 10 Ω/□ - 10 000 Ω/□ Разрешение в Ω/□: 0.2% Разрешение по плоскости (lateral resolution): 1 мм Воспроизводимость: <0.2% Время измерения: <90 сек для пластины Ø200мм с разрешением по плоскости 8мм (~490 точек) |
| Измерение удельного сопротивления 4-х зондовым методом |
Диапазон измерения поверхностного сопротивления: 0,001 Ω/□ – 10 МΩ/□ Воспроизводимость: 2% (на калибровочном образце VLSI) Точность: 3% Материал зонда: Карбид вольфрама (производитель: Jandel) Радиус скругления зонда: 100 мкм (опция 200 мкм, 300 мкм) Расстояние между зондами: 1,016 мм Число опусканий ~50.000 |
| Измерительный зонд для бесконтактного измерения сопротивления (Eddy current) | Стандартный диапазон измерений: 0,5-20 Ом*см (опция 0,1 – 10 Ом*см) |
| Измерительная головка поверхностной фото-ЭДС (SPV) |
Зонд с 4 лазерами: 850нм (или 880нм), 935 нм, 980 нм, 1015 нм Диаметр зонда: 8 мм |
| Управление | ПК + Специализированное ПО (Wintau32) |
| Электропитание | AC 220В ±10%, 50/60 Гц, однофазное |
| Габариты(ШхГхВ) | 650х730х960 мм |
| Вес | 100кг |
